2020-3-9?·?【嘉德點評】武漢新芯提出的閃存器件制作方法中,避免了由于光刻膠圖形化造成的缺陷,并且降低了生產(chǎn)成本,同時提高了浮柵的均一性。 集微網(wǎng)消息,新冠肺炎的影響導致武漢一直處于封城狀態(tài),也勢必會影響到武漢三大晶圓廠之一的武漢新芯的運營情況,目前武漢新芯已經(jīng)下調(diào)了季度NOR ...,2015-12-13?·?安徽大學碩士學位論文 復合多晶硅柵MOSFET直流與交流特性模擬研究 姓名：李俊生 申請學位級別：碩士 專業(yè)：電路與系統(tǒng) 指導教師：陳軍寧；代月花 2010-05 摘要 摘要近十年來,隨著射頻集成電路的研究得到了巨大的發(fā)展,在無線通信、醫(yī) 療 ...

2013-6-4?·?4結論本文提供了一種制作可調(diào)光柵的方法.首先利用紫外光刻的方法制造出光柵,再利用PDMS優(yōu)異的彈性,運用拉伸的方法實現(xiàn)光柵常數(shù)的可調(diào)諧,采用此種方法制作的可調(diào)光柵成本低.操作簡單.制作周期短,可廣泛應用于微型光譜儀.掃描儀.光通訊等領域中.,2020-1-21?·?電子元件 知識——電阻器 電阻：導電體對電流的阻礙作用稱為電阻,用符號R表示,單位為歐姆、千歐、兆歐,分別用Ω、KΩ、MΩ表示。 電阻的型號命名方法：國產(chǎn)電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻）①主稱 ②材料 ③分類 ④序號

2018-12-14?·?透射電鏡對樣品的要求 1. 樣品一般應為厚度小于100nm的固體。 2. 樣品在電鏡電磁場作用下不會被吸出,附于極靴上。 3. 樣品在高真空中能保持穩(wěn)定。 4. 不含有水分或其它易揮發(fā)物,含有水分或其他易揮發(fā)物的試樣應…,2011-3-22?·?本發(fā)明涉及一種透光混凝土制品坯料的制作設備及方法,屬于裝飾材料技術領域,該設備和工裝主要包括由固定在機座上的驅(qū)動及傳動裝置、主軸及其支座、回轉(zhuǎn)桿和送絲機構組成的繞絲機,由兩根豎梁和兩根橫梁連接成的扁四邊框架的繞絲架,由四塊模板組成的澆注模具；繞絲架的豎梁與繞絲機的 ...

近年來,各種各樣的電子產(chǎn)品已經(jīng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國防和日常生活中得到了廣泛的應用。伴隨著電子科學技術的蓬勃發(fā)展,使得微電子工業(yè)發(fā)展迅猛,這很大程度上是得益于微電子封裝技術的高速發(fā)展。當今全球正迎來以電子計算機為核心的電子信息技術時代,隨著它的發(fā)展,越來越要求電子產(chǎn)品要 ...,2017-12-7?·?透射電鏡對樣品的要求1. 樣品一般應為厚度小于100nm的固體。2. 樣品在電鏡電磁場作用下不會被吸出,附于極靴上。3. 樣品在高真空中能保持穩(wěn)定。4. 不含有水分或其它易揮發(fā)物,含有水分或其他易揮發(fā)物的試樣應先烘干。TEM樣品常放置在直徑為 ...

2014-5-27?·?現(xiàn)在葡萄架的設計自重在12000kg一30000kg 范圍內(nèi),通過采用輕質(zhì)高強的 材料,降低葡萄架的自重；采用優(yōu)化設計的方法,利用有限元分析方法,取得 接近實際受力的力學模型,進行變截面設計,節(jié)約更多的材料,降低成本；對高 強螺栓連接組件進行改進,2014-11-19?·?一種溝槽柵igbt芯片的制作方法 【摘要】本發(fā)明提供了一種溝槽柵IGBT芯片,包括：位于襯底表面上方的多晶硅層和柵極區(qū),所述襯底與所述多晶硅層之間通過絕緣層隔離；其中,所述多晶硅層包括多晶硅子層和多晶硅子層；所述多晶硅子層用于將常規(guī)柵極對應的溝槽 …

2016-5-11?·?-175-學術交流 》》 電子地圖制作方法與技術研究 安慶師范學院資源環(huán)境學院 朱超平 【摘要】本文主要從電子地圖的特點、應用前景、電子地圖設計與制作、未來發(fā)展前景四個方面,總結前人對電子地圖的制作方法和技術的研究,比較不同方式制圖的優(yōu),2019-8-25?·?鏡頭的組成是透鏡結構,由幾片透鏡組成,一般有塑膠透鏡(plastic)玻璃透鏡(glass)。通常攝像頭用的鏡頭構造有:1 P.2P. 1 G1 P. 1 G2P. 2G2P. 4G等。透鏡越多,成本越高；玻T鏡比塑膠貴。因此一個品質(zhì)好的攝像頭應該是采用協(xié)離鏡頭,成像效果 ...

2014-6-23?·?該文章講述了光纖布拉格光柵(FBG)概念及制作方法講解. 光纖布拉格光柵(FBG)概念及制作方法講解： 1 介紹 FBG是Fiber Bragg Grating的縮寫,即光纖布拉格光柵。 在纖芯內(nèi)形成的空間相位周期性分布的光柵,其作用的實質(zhì)是在纖芯內(nèi)形成一個窄帶 ...,2019-7-30?·?摘要:針對晶體硅太陽電池缺陷的檢測問題,利用多種測試設備（EL、PL、Corescan等）,在電池制作的主要工序段（擴散、鍍膜、印刷、燒結）對硅片和電池片進行檢測,歸納和總結了電池的各種典型缺陷的成因,利用這些檢測手段和分析結果,能夠及時有效地反饋生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的缺陷類型,有利 …

代理機構 北京中博世達商標代理有限公司 代理人 申健 地址 100015 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號 摘要 本發(fā)明實施例提供一種線柵偏振片的制作方法,涉及顯示技術領域,能夠解決線柵偏振片制作過程中,工藝復雜、難度大、成本高的問題。,2018-4-16?·?目前大部分以Cu為基體,具有可控性好、成本較低、易于轉(zhuǎn)移和規(guī)?；苽涞葍?yōu)點, 但生長的石墨烯具有較多的線缺陷。 滲碳析碳： 在制備單晶石墨烯方面更具優(yōu)勢,但目前采用昂貴的單晶金屬作為基體,而且石墨烯難以轉(zhuǎn)移, 限制了該方法的進一步應用。

2018-6-12?·?本發(fā)明涉及半導體制造工藝技術領域,特別地,涉及一種溝槽型聯(lián)柵晶體管及其制作方法?！颈尘凹夹g】溝槽型聯(lián)柵晶體管也簡稱為UPGAT,是一種新型的功率器件,溝槽型聯(lián)柵晶體管同時具有MOSFET和BJT的優(yōu)點,其主要特點為：導通電阻小,動態(tài)損耗小,開關速度快,二次擊穿耐壓高,功率 …,2014-7-1?·?天眼查網(wǎng)為您提供一種VDMOS器件的元胞結構及其制作方法信息,該是無錫華潤華晶微電子有限公司的注冊,本發(fā)明公開了一種VDMOS器件的元胞結構及其制作方法,其中,...查詢上天眼查。

2019-7-15?·?作者：朱黎 在高功率和性價比的推進下,大尺寸光伏產(chǎn)品正在形成大氣候。 去年下半年以來,在越來越多元的技術搭配下,大尺寸化加速進行,以實踐驗證技術,以方法推動趨勢。另一方面,大尺寸也面臨多重挑戰(zhàn),其中規(guī)格標準能否統(tǒng)一受行業(yè)關注。,2 天前?·?為了以的成本解決 EMC 問題,必須在功能設計的同時,進行 EMC 設計,并選用正確的方法。 現(xiàn)在,產(chǎn)品設計的已從功能設計和邏輯設計,轉(zhuǎn)移到 EMC 設計上來了。 進行電磁兼容設計的正確方法,應做到：標本兼治,重在治本。

2009-12-16?·?多晶硅太陽能電池制作工藝 眾所周知,利用太陽能有許多優(yōu)點,光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源,但目前來講,要使太陽能發(fā)電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本應該是我們追求的目標。,2018-12-18?·?主要優(yōu)點是每個板的測試成本低、數(shù)字與功能測試能力強、快速和徹底的短路與開路測試、編程固件、缺陷覆蓋率高和易于編程等。 也稱為自動視覺檢測,是基于光學原理,綜合采用圖像分析、計算機和自動控制等多種技術,對生…

2019-4-3?·?MOS管的種類和簡要應用,MOS是我們常說的NMOS,PMOS,那么它與而二極管和三極管不同,二極管只能通過正向電流,反向截止,不能控制,三極管通俗的講,是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的,MOS管的輸入電阻 ...,2019-8-21?·?主要優(yōu)點是每個板的測試成本低、數(shù)字與功能測試能力強、快速和徹底的短路與開路測試、編程固件、缺陷覆蓋率高和易于編程等。缺點是,需要測試夾具、編程與調(diào)試時間、制作夾具的成本較高,使用難度大等問題。 3、PCB板功能測試

2019-9-19?·?基坑護欄的制作以及安裝方法 1,臨邊防護欄桿采用鋼管欄桿及欄桿柱均采用Φ48* 3.5mm的管材,以扣件或電焊固定。 2,防護欄桿由二道橫桿及欄桿柱組成,上橫桿離地高度為1.2米,下橫桿桿離地高度為0.6米,立桿總長度1.7米,埋入地下0.5 ...,2020-3-12?·?主流的OLED制作一般都采用了蒸鍍的工藝。這一技術主要面臨著良品率和成本的問題。而噴墨打印技術的OLED面板制造工藝相比于蒸鍍工藝,是降低生產(chǎn)成本的一個可行 其實國內(nèi)外很多面板廠商很早開始研發(fā)噴墨印刷技術,包括三星,LG, 京東方

2009-11-4?·?名稱：復合發(fā)電柵的制作方法 技術領域： 本實用新型涉及發(fā)電技術,特別是一種形狀象柵欄的復合發(fā)電柵。 背景技術： 海洋總在洶涌,有取之不盡的能量,利用海流能、海浪能發(fā)電不產(chǎn)生廢 物、無污染,海流能、海浪能和太陽能、風能一樣,利用〗介值高且環(huán)保。,2019-8-16?·?轉(zhuǎn)載自徐云飛/龐鈞文 國君電新 導讀：縱覽半導體硅片的發(fā)展脈絡,光伏硅片大型化是趨勢,大硅片能夠打破當前光伏降本瓶頸,助力行業(yè)在未來2-3年成本下降,維持行業(yè)"增持"評級。 1、光伏硅片尺寸來自半導體,我們認為尺寸變大是趨勢。

2015-9-2?·?太陽能電池的柵線結構的制作方法 【技術領域】 [0001]本實用新型屬于太陽能電池領域,具體涉及到一種太陽能電池的柵線結構。【背景技術】 [0002]現(xiàn)在傳統(tǒng)的太陽能電池正面電極制造工藝普遍采用的是絲網(wǎng)印刷技術,采用的漿料是昂貴銀漿,使得太陽能電池的制造成本居高不下。,2011-7-6?·?光柵的制作方法 一般說來,任何一種具有空間周期性的衍屏的光學元件都可以稱為光柵, 如果在一塊鍍鋁的光學玻璃毛胚上刻劃一系列等寬, 等距而平行的狹縫是透射 光柵。